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IRHNS597Z60是抗輻射單通道P溝道MOSFET，-30V，56A，特點(diǎn)為單粒子效應(yīng)強(qiáng)化、低RDS(on)、質(zhì)子耐受、簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)、密封陶瓷封裝、輕巧，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、配電電路、負(fù)載開關(guān)、電池充電。具ESD等級(jí)3A，TID級(jí)別100krad或300krad，符合MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn)，JANS篩選級(jí)別。

Part Number	Radiation Level	RDS(on)	l_D	QPL Part Number
IRHNS597Z60	100 kRads(Si)	0.0132	-56A*	JANSR2N7523U2A
IRHNS593Z60	300 kRads(Si)	0.0132	-56A*	JANSF2N7523U2A

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IRHNS597Z60單P溝道MOSFET